Toshiba Semiconductor and Storage - RN1316,LF

KEY Part #: K6527119

RN1316,LF Цены (доллары США) [2494569шт сток]

  • 1 pcs$0.01490
  • 3,000 pcs$0.01483
  • 6,000 pcs$0.01337
  • 15,000 pcs$0.01163
  • 30,000 pcs$0.01046
  • 75,000 pcs$0.00930
  • 150,000 pcs$0.00775

номер части:
RN1316,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1316,LF electronic components. RN1316,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1316,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1316,LF Атрибуты продукта

номер части : RN1316,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : NPN - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 10 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : 250MHz
Мощность - Макс : 100mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SC-70, SOT-323
Комплект поставки устройства : USM

Вы также можете быть заинтересованы в
  • PBRN123ES,126

    NXP USA Inc.

    TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3.

  • FJN3302RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3.

  • FJN4305RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN3305RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3.

  • FJN4303RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • DTC124EKA-TP

    Micro Commercial Co

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L.