ON Semiconductor - FGP10N60UNDF

KEY Part #: K6423033

FGP10N60UNDF Цены (доллары США) [45397шт сток]

  • 1 pcs$0.84038
  • 10 pcs$0.75634
  • 100 pcs$0.60779
  • 500 pcs$0.49937
  • 1,000 pcs$0.41376

номер части:
FGP10N60UNDF
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
IGBT 600V 20A 139W TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FGP10N60UNDF electronic components. FGP10N60UNDF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGP10N60UNDF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGP10N60UNDF Атрибуты продукта

номер части : FGP10N60UNDF
производитель : ON Semiconductor
Описание : IGBT 600V 20A 139W TO220-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 20A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 30A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 10A
Мощность - Макс : 139W
Энергия переключения : 150µJ (on), 50µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 37nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 8ns/52.2ns
Условия испытаний : 400V, 10A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 37.7ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-3
Комплект поставки устройства : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в