ON Semiconductor - NSVDTC123JM3T5G

KEY Part #: K6527567

NSVDTC123JM3T5G Цены (доллары США) [1760237шт сток]

  • 1 pcs$0.02101

номер части:
NSVDTC123JM3T5G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
SOT-723 BIAS RESISTOR.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NSVDTC123JM3T5G electronic components. NSVDTC123JM3T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVDTC123JM3T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVDTC123JM3T5G Атрибуты продукта

номер части : NSVDTC123JM3T5G
производитель : ON Semiconductor
Описание : SOT-723 BIAS RESISTOR
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : NPN - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 2.2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 47 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 260mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-723
Комплект поставки устройства : SOT-723

Вы также можете быть заинтересованы в