Infineon Technologies - IPW65R110CFDFKSA1

KEY Part #: K6416107

IPW65R110CFDFKSA1 Цены (доллары США) [12256шт сток]

  • 1 pcs$3.36254

номер части:
IPW65R110CFDFKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPW65R110CFDFKSA1 electronic components. IPW65R110CFDFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW65R110CFDFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW65R110CFDFKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPW65R110CFDFKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 31.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.3mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 118nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3240pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 277.8W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO247-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в