Infineon Technologies - IPB100N04S2L03ATMA2

KEY Part #: K6418342

IPB100N04S2L03ATMA2 Цены (доллары США) [59891шт сток]

  • 1 pcs$0.65287
  • 1,000 pcs$0.62172

номер части:
IPB100N04S2L03ATMA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB100N04S2L03ATMA2 electronic components. IPB100N04S2L03ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB100N04S2L03ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB100N04S2L03ATMA2 Атрибуты продукта

номер части : IPB100N04S2L03ATMA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 230nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-3-2
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.