Vishay Siliconix - SI1305EDL-T1-E3

KEY Part #: K6408704

[535шт сток]


    номер части:
    SI1305EDL-T1-E3
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1305EDL-T1-E3 electronic components. SI1305EDL-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1305EDL-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1305EDL-T1-E3 Атрибуты продукта

    номер части : SI1305EDL-T1-E3
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : P-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 8V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 860mA (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 1A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±8V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 290mW (Ta)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : SC-70-3
    Пакет / Дело : SC-70, SOT-323

    Вы также можете быть заинтересованы в