Vishay Siliconix - SIS626DN-T1-GE3

KEY Part #: K6401176

[3141шт сток]


    номер части:
    SIS626DN-T1-GE3
    производитель:
    Vishay Siliconix
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Vishay Siliconix SIS626DN-T1-GE3 electronic components. SIS626DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS626DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIS626DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

    номер части : SIS626DN-T1-GE3
    производитель : Vishay Siliconix
    Описание : MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 25V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 60nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±12V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1925pF @ 15V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 52W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
    Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

    Вы также можете быть заинтересованы в