ON Semiconductor - FQD17P06TM

KEY Part #: K6392692

FQD17P06TM Цены (доллары США) [203660шт сток]

  • 1 pcs$0.18161
  • 2,500 pcs$0.14749

номер части:
FQD17P06TM
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQD17P06TM electronic components. FQD17P06TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD17P06TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD17P06TM Атрибуты продукта

номер части : FQD17P06TM
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 135 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 900pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в