ON Semiconductor - MBRD835LG

KEY Part #: K6442366

MBRD835LG Цены (доллары США) [141698шт сток]

  • 1 pcs$0.28476
  • 10 pcs$0.25233
  • 100 pcs$0.19332
  • 500 pcs$0.15282
  • 1,000 pcs$0.12226

номер части:
MBRD835LG
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor MBRD835LG electronic components. MBRD835LG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRD835LG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRD835LG Атрибуты продукта

номер части : MBRD835LG
производитель : ON Semiconductor
Описание : DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Серии : SWITCHMODE™
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 35V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 510mV @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 1.4mA @ 35V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : DPAK
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RJU6052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

  • RJU4352SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

  • RJU3052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

  • UD0506T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0306T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

  • CMDD6001 BK

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA