IXYS - IXTP20N65XM

KEY Part #: K6394854

IXTP20N65XM Цены (доллары США) [16895шт сток]

  • 1 pcs$2.69666
  • 50 pcs$2.68325

номер части:
IXTP20N65XM
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP20N65XM electronic components. IXTP20N65XM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP20N65XM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP20N65XM Атрибуты продукта

номер части : IXTP20N65XM
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1390pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 63W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3