ON Semiconductor - FQPF4N90CT

KEY Part #: K6419435

FQPF4N90CT Цены (доллары США) [111961шт сток]

  • 1 pcs$0.33036
  • 1,000 pcs$0.22514

номер части:
FQPF4N90CT
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 4A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQPF4N90CT electronic components. FQPF4N90CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF4N90CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF4N90CT Атрибуты продукта

номер части : FQPF4N90CT
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 900V 4A
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 960pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 47W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220F
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в