номер части :
TH58BVG2S3HBAI4
производитель :
Toshiba Memory America, Inc.
Описание :
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Состояние детали :
Active
Тип памяти :
Non-Volatile
Технология :
FLASH - NAND (SLC)
Размер памяти :
4Gb (512M x 8)
Время цикла записи - слово, страница :
25ns
Напряжение - Поставка :
2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
63-TFBGA (9x11)