STMicroelectronics - STGYA120M65DF2AG

KEY Part #: K6422355

STGYA120M65DF2AG Цены (доллары США) [12284шт сток]

  • 1 pcs$3.35483

номер части:
STGYA120M65DF2AG
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IGBT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGYA120M65DF2AG electronic components. STGYA120M65DF2AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGYA120M65DF2AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGYA120M65DF2AG Атрибуты продукта

номер части : STGYA120M65DF2AG
производитель : STMicroelectronics
Описание : IGBT
Серии : M
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 160A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 360A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 120A
Мощность - Макс : 625W
Энергия переключения : 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 420nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 66ns/185ns
Условия испытаний : 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 202ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : MAX247™

Вы также можете быть заинтересованы в