Micron Technology Inc. - EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

KEY Part #: K938313

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Цены (доллары США) [20010шт сток]

  • 1 pcs$2.29004
  • 1,680 pcs$2.09024

номер части:
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
производитель:
Micron Technology Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 512M 16MX32 FBGA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Сдвиговые регистры, Логика - Компараторы, PMIC - зарядные устройства, Логика - FIFOs Memory, Интерфейс - кодеры, декодеры, преобразователи, Интерфейс - Буферы Сигналов, Повторители, Сплиттер, Embedded - система на чипе (SoC) and PMIC - регуляторы напряжения - линейный ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Micron Technology Inc. EDB5432BEBH-1DAAT-F-D electronic components. EDB5432BEBH-1DAAT-F-D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EDB5432BEBH-1DAAT-F-D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Атрибуты продукта

номер части : EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
производитель : Micron Technology Inc.
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPDDR2
Размер памяти : 512Mb (16M x 32)
Тактовая частота : 533MHz
Время цикла записи - слово, страница : -
Время доступа : -
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.14V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -40°C ~ 105°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 134-VFBGA
Комплект поставки устройства : 134-VFBGA (10x11.5)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp