S29GL256S10GHIV20 Цены (доллары США) [19310шт сток]
- 1 pcs$2.95268
- 260 pcs$2.93799
- номер части:
- S29GL256S10GHIV20
- производитель:
- Cypress Semiconductor Corp
- Подробное описание:
- IC FLASH 256M PARALLEL 56BGA. NOR Flash Nor
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Сбор данных - цифровые потенциометры, PMIC - PFC (коррекция коэффициента мощности), Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА, Сбор данных - аналоговый интерфейс (AFE), Линейный - Компараторы, PMIC - зарядные устройства, Линейный - Усилители специального назначения and Интерфейс - Модули ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL256S10GHIV20 electronic components. S29GL256S10GHIV20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL256S10GHIV20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL256S10GHIV20 Атрибуты продукта
номер части :
S29GL256S10GHIV20
производитель :
Cypress Semiconductor Corp
Описание :
IC FLASH 256M PARALLEL 56BGA
Серии :
GL-S
Состояние детали :
Active
Тип памяти :
Non-Volatile
Формат памяти :
FLASH
Технология :
FLASH - NOR
Размер памяти :
256Mb (16M x 16)
Тактовая частота :
-
Время цикла записи - слово, страница :
60ns
Время доступа :
100ns
Интерфейс памяти :
Parallel
Напряжение - Поставка :
1.65V ~ 3.6V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
56-VFBGA
Комплект поставки устройства :
56-FBGA (9x7)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
-
-
71V3577S75PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
-
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Горячие части
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR