Infineon Technologies - IPW60R099C6FKSA1

KEY Part #: K6416116

IPW60R099C6FKSA1 Цены (доллары США) [12354шт сток]

  • 1 pcs$3.33610

номер части:
IPW60R099C6FKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R099C6FKSA1 electronic components. IPW60R099C6FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R099C6FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R099C6FKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPW60R099C6FKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 37.9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.21mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 119nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2660pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 278W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO247-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • SI3139K-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-723 PACKAG.