Infineon Technologies - IPP60R199CPXKSA1

KEY Part #: K6399349

IPP60R199CPXKSA1 Цены (доллары США) [22056шт сток]

  • 1 pcs$1.61296
  • 10 pcs$1.44197
  • 100 pcs$1.18240
  • 500 pcs$0.90836
  • 1,000 pcs$0.76608

номер части:
IPP60R199CPXKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP60R199CPXKSA1 electronic components. IPP60R199CPXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R199CPXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R199CPXKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP60R199CPXKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 660µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1520pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 139W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.