Taiwan Semiconductor Corporation - S4M M6G

KEY Part #: K6457652

S4M M6G Цены (доллары США) [604455шт сток]

  • 1 pcs$0.06119

номер части:
S4M M6G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 4A DO214AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S4M M6G electronic components. S4M M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S4M M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S4M M6G Атрибуты продукта

номер части : S4M M6G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 4A DO214AB
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : -
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 4A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.15V @ 4A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 1.5µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AB, SMC
Комплект поставки устройства : DO-214AB (SMC)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM