Microsemi Corporation - JAN1N4960D

KEY Part #: K6479749

JAN1N4960D Цены (доллары США) [5114шт сток]

  • 1 pcs$10.64153
  • 100 pcs$10.58858

номер части:
JAN1N4960D
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE ZENER 12V 5W AXIAL.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4960D electronic components. JAN1N4960D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4960D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4960D Атрибуты продукта

номер части : JAN1N4960D
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE ZENER 12V 5W AXIAL
Серии : Military, MIL-PRF-19500/356
Состояние детали : Active
Напряжение - стабилитрон (ном.) (Vz) : 12V
Толерантность : ±1%
Мощность - Макс : 5W
Импеданс (Макс) (Zzt) : 2.5 Ohms
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 9.1V
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.5V @ 1A
Рабочая Температура : -65°C ~ 175°C
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : E, Axial
Комплект поставки устройства : E, Axial

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR