номер части :
SI4833BDY-T1-GE3
производитель :
Vishay Siliconix
Описание :
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC
Состояние детали :
Obsolete
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
4.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
68 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
14nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
350pF @ 15V
Функция FET :
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
2.75W (Tc)
Рабочая Температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
8-SOIC
Пакет / Дело :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)