Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Интегральные схемы (ИС)
  4. объем памяти
  5. W947D6HBHX6E

Winbond Electronics - W947D6HBHX6E

KEY Part #: K942321

W947D6HBHX6E Цены (доллары США) [45741шт сток]

  • 1 pcs$1.07481
  • 312 pcs$1.06947
номер части:
W947D6HBHX6E
производитель:
Winbond Electronics
Подробное описание:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 166MHz, 65nm
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Регуляторы напряжения - DC DC Импульсные ре, Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль, Линейный - Усилители - Аудио, PMIC - полные, полумостовые драйверы, Часы / Синхронизация - Батареи для ИС, Логика - Сдвиговые регистры, Аудио специального назначения and Часы / Время - Часы реального времени ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX6E electronic components. W947D6HBHX6E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX6E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX6E Атрибуты продукта

номер части : W947D6HBHX6E
производитель : Winbond Electronics
Описание : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPDDR
Размер памяти : 128Mb (8M x 16)
Тактовая частота : 166MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 5ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-VFBGA (8x9)

Последние новости

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Вы также можете быть заинтересованы в
  • IS25LQ032B-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q256JVEIM TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • W25Q256JVEIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25L16B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 16K Serial SPI 3V FRAM

Горячие части