Infineon Technologies - FP35R12W2T4B11BOMA1

KEY Part #: K6532844

FP35R12W2T4B11BOMA1 Цены (доллары США) [1760шт сток]

  • 1 pcs$24.60123

номер части:
FP35R12W2T4B11BOMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE 1200V 35A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FP35R12W2T4B11BOMA1 electronic components. FP35R12W2T4B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP35R12W2T4B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP35R12W2T4B11BOMA1 Атрибуты продукта

номер части : FP35R12W2T4B11BOMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE 1200V 35A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 54A
Мощность - Макс : 215W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.