ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400E-5BLI-TR

KEY Part #: K936947

IS43R86400E-5BLI-TR Цены (доллары США) [15486шт сток]

  • 1 pcs$2.95896

номер части:
IS43R86400E-5BLI-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8,IT
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Встроенный - микроконтроллер, микропроцессор, моду, Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль, Интерфейс - прямой цифровой синтез (DDS), PMIC - Контроллеры питания через Ethernet (PoE), Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА, PMIC - Драйверы для ворот, Логика - Генераторы четности и шашки and Embedded - PLD (программируемое логическое устройс ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BLI-TR electronic components. IS43R86400E-5BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400E-5BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400E-5BLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS43R86400E-5BLI-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR
Размер памяти : 512Mb (64M x 8)
Тактовая частота : 200MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 700ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.3V ~ 2.7V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-TFBGA (13x8)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM