Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWF04S-M3

KEY Part #: K6441080

VS-8EWF04S-M3 Цены (доллары США) [28864шт сток]

  • 1 pcs$1.49838
  • 10 pcs$1.34546
  • 25 pcs$1.27204
  • 100 pcs$1.04592
  • 250 pcs$0.99230
  • 500 pcs$0.89039
  • 1,000 pcs$0.75093
  • 2,500 pcs$0.71517

номер части:
VS-8EWF04S-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWF04S-M3 electronic components. VS-8EWF04S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWF04S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8EWF04S-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-8EWF04S-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 400V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 55ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 400V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : D-PAK (TO-252AA)
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB10S60CATMA2

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.

  • VS-8EWF04S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-MURB1520TRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.

  • VS-20ETS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

  • VS-20ETS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

  • VS-15TQ060STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK.