Vishay Semiconductor Diodes Division - BAQ35-GS08

KEY Part #: K6458421

BAQ35-GS08 Цены (доллары США) [1320178шт сток]

  • 1 pcs$0.02802
  • 2,500 pcs$0.02674
  • 5,000 pcs$0.02326
  • 12,500 pcs$0.01977
  • 25,000 pcs$0.01860
  • 62,500 pcs$0.01744
  • 125,000 pcs$0.01550

номер части:
BAQ35-GS08
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 140V 200MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 125 Volt 200mA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAQ35-GS08 electronic components. BAQ35-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAQ35-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAQ35-GS08 Атрибуты продукта

номер части : BAQ35-GS08
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 140V 200MA SOD80
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 140V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 100mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 1nA @ 60V
Емкость @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Комплект поставки устройства : SOD-80 MiniMELF
Рабочая температура - соединение : 175°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAS70-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO

  • BAS70-00-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single

  • BAS40-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA AUTO

  • BAS40-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA

  • BAS70-00-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO