STMicroelectronics - STGB30H60DFB

KEY Part #: K6422333

STGB30H60DFB Цены (доллары США) [65490шт сток]

  • 1 pcs$0.59705
  • 1,000 pcs$0.53350

номер части:
STGB30H60DFB
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT HB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGB30H60DFB electronic components. STGB30H60DFB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGB30H60DFB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGB30H60DFB Атрибуты продукта

номер части : STGB30H60DFB
производитель : STMicroelectronics
Описание : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT HB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 60A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 120A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
Мощность - Макс : 260W
Энергия переключения : 383µJ (on), 293µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 149nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 37ns/146ns
Условия испытаний : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 53ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : D2PAK