номер части :
MSRT200160(A)D
производитель :
GeneSiC Semiconductor
Описание :
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Состояние детали :
Active
Конфигурация диода :
1 Pair Series Connection
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) (за диод) :
200A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 200A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 1600V
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Пакет / Дело :
Three Tower
Комплект поставки устройства :
Three Tower