ON Semiconductor - FAN7083CMX_F085

KEY Part #: K1221250

[11830шт сток]


    номер части:
    FAN7083CMX_F085
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    IC GATE DRIVER HIGH SIDE 8SOIC.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - текущее регулирование / управление, Интерфейс - аналоговые переключатели - специальног, Логика - FIFOs Memory, PMIC - PFC (коррекция коэффициента мощности), PMIC - Освещение, Балласт Контроллеры, Интерфейс - Фильтры - Активные, PMIC - Учет энергии and PMIC - Регуляторы напряжения - DC DC Импульсные ре ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor FAN7083CMX_F085 electronic components. FAN7083CMX_F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FAN7083CMX_F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FAN7083CMX_F085 Атрибуты продукта

    номер части : FAN7083CMX_F085
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : IC GATE DRIVER HIGH SIDE 8SOIC
    Серии : Automotive, AEC-Q100
    Состояние детали : Obsolete
    Управляемая конфигурация : High-Side
    Тип канала : Single
    Количество водителей : 1
    Тип ворот : IGBT, N-Channel MOSFET
    Напряжение - Поставка : 10V ~ 20V
    Логическое напряжение - VIL, VIH : -
    Ток - Пиковая мощность (источник, раковина) : 200mA, 400mA
    Тип ввода : Non-Inverting
    Высокое боковое напряжение - Макс (Bootstrap) : 600V
    Время подъема / падения (тип.) : 200ns, 25ns
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Комплект поставки устройства : 8-SOIC

    Вы также можете быть заинтересованы в