Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL34J-E3/83

KEY Part #: K6457871

RGL34J-E3/83 Цены (доллары США) [730465шт сток]

  • 1 pcs$0.05343
  • 9,000 pcs$0.05317

номер части:
RGL34J-E3/83
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL34J-E3/83 electronic components. RGL34J-E3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL34J-E3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL34J-E3/83 Атрибуты продукта

номер части : RGL34J-E3/83
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 500mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 250ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AA (Glass)
Комплект поставки устройства : DO-213AA (GL34)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns