Infineon Technologies - IRLHM630TRPBF

KEY Part #: K6420452

IRLHM630TRPBF Цены (доллары США) [195650шт сток]

  • 1 pcs$0.18905
  • 4,000 pcs$0.16153

номер части:
IRLHM630TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLHM630TRPBF electronic components. IRLHM630TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHM630TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLHM630TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRLHM630TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 62nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3170pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PQFN (3x3)
Пакет / Дело : 8-VQFN Exposed Pad

Вы также можете быть заинтересованы в