Rohm Semiconductor - RB551V-30FTE-17

KEY Part #: K6458186

RB551V-30FTE-17 Цены (доллары США) [944660шт сток]

  • 1 pcs$0.04722
  • 3,000 pcs$0.04699

номер части:
RB551V-30FTE-17
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 20V 500MA UMD2. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTY 20V .5A
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RB551V-30FTE-17 electronic components. RB551V-30FTE-17 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RB551V-30FTE-17, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RB551V-30FTE-17 Атрибуты продукта

номер части : RB551V-30FTE-17
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : DIODE SCHOTTKY 20V 500MA UMD2
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 20V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 470mV @ 500mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 20V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SC-90, SOD-323F
Комплект поставки устройства : UMD2
Рабочая температура - соединение : 125°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in