Infineon Technologies - IRF6619

KEY Part #: K6416334

IRF6619 Цены (доллары США) [60727шт сток]

  • 1 pcs$0.65079
  • 4,800 pcs$0.64755

номер части:
IRF6619
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Модули питания драйверов and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF6619 electronic components. IRF6619 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6619, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6619 Атрибуты продукта

номер части : IRF6619
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Ta), 150A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 57nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5040pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DIRECTFET™ MX
Пакет / Дело : DirectFET™ Isometric MX

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.