GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - СКВ - Модули ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 electronic components. GA04JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA04JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

номер части : GA04JT17-247

производитель : GeneSiC Semiconductor

Описание : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

Серии : -

Состояние детали : Active

Тип FET : -

Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1700V

Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)

Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : -

Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -

Функция FET : -

Рассеиваемая Мощность (Макс) : 106W (Tc)

Рабочая Температура : 175°C (TJ)

Тип монтажа : Through Hole

Комплект поставки устройства : TO-247AB

Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
FCD260N65S3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
FCD7N60TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
FCD2250N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
FDD86250

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.