Rohm Semiconductor - RF4E070BNTR

KEY Part #: K6420822

RF4E070BNTR Цены (доллары США) [265082шт сток]

  • 1 pcs$0.15425
  • 3,000 pcs$0.15349

номер части:
RF4E070BNTR
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RF4E070BNTR electronic components. RF4E070BNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RF4E070BNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RF4E070BNTR Атрибуты продукта

номер части : RF4E070BNTR
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.6 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 410pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : HUML2020L8
Пакет / Дело : 8-PowerUDFN

Вы также можете быть заинтересованы в