ON Semiconductor - NSVMUN5111DW1T3G

KEY Part #: K6528853

NSVMUN5111DW1T3G Цены (доллары США) [1074093шт сток]

  • 1 pcs$0.03461
  • 10,000 pcs$0.03444

номер части:
NSVMUN5111DW1T3G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NSVMUN5111DW1T3G electronic components. NSVMUN5111DW1T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN5111DW1T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVMUN5111DW1T3G Атрибуты продукта

номер части : NSVMUN5111DW1T3G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 10 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 250mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : SC-88/SC70-6/SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в