ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-3DBL

KEY Part #: K939432

IS43DR86400C-3DBL Цены (доллары США) [25136шт сток]

1 pcs$2.18108
242 pcs$2.17023

номер части:: IS43DR86400C-3DBL

производитель:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Подробное описание:: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Логика - Специальность Логика, Сбор данных - Контроллеры с сенсорным экраном, Линейный - Обработка видео, Интерфейс - Контроллеры, Линейный - Усилители - Аудио, Интерфейс - аналоговые переключатели, мультиплексо, Интерфейс - Модемы - ИС и модули and Встроенные - ПЛИС (программируемый полевой вентиль ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBL electronic components. IS43DR86400C-3DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-3DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

IS43DR86400C-3DBL Атрибуты продукта

номер части : IS43DR86400C-3DBL

производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Описание : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Серии : -

Состояние детали : Active

Тип памяти : Volatile

Формат памяти : DRAM

Технология : SDRAM - DDR2

Размер памяти : 512Mb (64M x 8)

Тактовая частота : 333MHz

Время цикла записи - слово, страница : 15ns

Время доступа : 450ps

Интерфейс памяти : Parallel

Напряжение - Поставка : 1.7V ~ 1.9V

Рабочая Температура : 0°C ~ 70°C (TA)

Тип монтажа : Surface Mount

Пакет / Дело : 60-TFBGA

Комплект поставки устройства : 60-TWBGA (8x10.5)

Последние новости

Silicom MinnowBoard Turbot

Вы также можете быть заинтересованы в

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
CY7C199D-25SXE

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM
AS8C401801-QC166N

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W966D6HBGX7I

Winbond Electronics

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 64M pSRAM x16, ADP, 133MHz, Ind temp

English русский