Renesas Electronics America - RJK0301DPB-02#J0

KEY Part #: K6418999

RJK0301DPB-02#J0 Цены (доллары США) [86753шт сток]

  • 1 pcs$0.48047
  • 2,500 pcs$0.47808

номер части:
RJK0301DPB-02#J0
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America RJK0301DPB-02#J0 electronic components. RJK0301DPB-02#J0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0301DPB-02#J0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0301DPB-02#J0 Атрибуты продукта

номер части : RJK0301DPB-02#J0
производитель : Renesas Electronics America
Описание : MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 32nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : +16V, -12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5000pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 65W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 5-LFPAK
Пакет / Дело : SC-100, SOT-669

Вы также можете быть заинтересованы в