NXP USA Inc. - PSMN023-80LS,115

KEY Part #: K6415244

[12477шт сток]


    номер части:
    PSMN023-80LS,115
    производитель:
    NXP USA Inc.
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN023-80LS,115 electronic components. PSMN023-80LS,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN023-80LS,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN023-80LS,115 Атрибуты продукта

    номер части : PSMN023-80LS,115
    производитель : NXP USA Inc.
    Описание : MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 34A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 21nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1295pF @ 40V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 65W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : 8-DFN3333 (3.3x3.3)
    Пакет / Дело : 8-VDFN Exposed Pad

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN23UN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN34UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP.

    • PMN25EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP.

    • PMN27UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP.