STMicroelectronics - STB27NM60ND

KEY Part #: K6401052

STB27NM60ND Цены (доллары США) [8838шт сток]

  • 1,000 pcs$1.96332

номер части:
STB27NM60ND
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STB27NM60ND electronic components. STB27NM60ND can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB27NM60ND, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB27NM60ND Атрибуты продукта

номер части : STB27NM60ND
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2400pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 160W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в