Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6484HE3/96

KEY Part #: K6457746

1N6484HE3/96 Цены (доллары США) [665064шт сток]

  • 1 pcs$0.05562
  • 6,000 pcs$0.05085

номер части:
1N6484HE3/96
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6484HE3/96 electronic components. 1N6484HE3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6484HE3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6484HE3/96 Атрибуты продукта

номер части : 1N6484HE3/96
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 1A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AB, MELF (Glass)
Комплект поставки устройства : DO-213AB
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM