Infineon Technologies - IPB65R125C7ATMA1

KEY Part #: K6401861

IPB65R125C7ATMA1 Цены (доллары США) [2903шт сток]

  • 1,000 pcs$1.17120

номер части:
IPB65R125C7ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA1 electronic components. IPB65R125C7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R125C7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R125C7ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB65R125C7ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH TO263-3
Серии : CoolMOS™ C7
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1670pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 101W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.

  • PMN27XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.