Vishay Siliconix - SI4816BDY-T1-GE3

KEY Part #: K6525181

SI4816BDY-T1-GE3 Цены (доллары США) [111328шт сток]

  • 1 pcs$0.33224
  • 2,500 pcs$0.30952

номер части:
SI4816BDY-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-GE3 electronic components. SI4816BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4816BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4816BDY-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI4816BDY-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Серии : LITTLE FOOT®
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10nC @ 5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Мощность - Макс : 1W, 1.25W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект поставки устройства : 8-SO

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.