Vishay Siliconix - SI7322DN-T1-GE3

KEY Part #: K6418546

SI7322DN-T1-GE3 Цены (доллары США) [133988шт сток]

  • 1 pcs$0.27605
  • 3,000 pcs$0.23327

номер части:
SI7322DN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7322DN-T1-GE3 electronic components. SI7322DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7322DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7322DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI7322DN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 750pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.