Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA06TB120SL-M3

KEY Part #: K6434270

VS-HFA06TB120SL-M3 Цены (доллары США) [100888шт сток]

  • 1 pcs$0.38757

номер части:
VS-HFA06TB120SL-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1200V 6A IF (TO-263AB) 80A IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA06TB120SL-M3 electronic components. VS-HFA06TB120SL-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA06TB120SL-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA06TB120SL-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-HFA06TB120SL-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK
Серии : HEXFRED®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 6A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 3.9V @ 12A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 80ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB (D²PAK)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-8EWS12STRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3