Infineon Technologies - IPB47N10SL26ATMA1

KEY Part #: K6419064

IPB47N10SL26ATMA1 Цены (доллары США) [89681шт сток]

  • 1 pcs$0.43600
  • 1,000 pcs$0.41519

номер части:
IPB47N10SL26ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB47N10SL26ATMA1 electronic components. IPB47N10SL26ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB47N10SL26ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB47N10SL26ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB47N10SL26ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Серии : SIPMOS®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 47A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2500pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 175W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-3-2
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в