ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61WV102416BLL-10TLI-TR

KEY Part #: K918721

IS61WV102416BLL-10TLI-TR Цены (доллары США) [6644шт сток]

  • 1 pcs$6.93109
  • 1,500 pcs$6.89660

номер части:
IS61WV102416BLL-10TLI-TR
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I. SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3v
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Clock / Timing - Тактовые генераторы, ФАПЧ, синтез, Интерфейс - Запись голоса и воспроизведение, Clock / Timing - Тактовые буферы, драйверы, Интерфейс - Специализированный, PMIC - моторные драйверы, контроллеры, PMIC - среднеквадратичные преобразователи в постоя, PMIC - Контроллеры источников питания, мониторы and Embedded - система на чипе (SoC) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416BLL-10TLI-TR electronic components. IS61WV102416BLL-10TLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61WV102416BLL-10TLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS61WV102416BLL-10TLI-TR Атрибуты продукта

номер части : IS61WV102416BLL-10TLI-TR
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : SRAM
Технология : SRAM - Asynchronous
Размер памяти : 16Mb (1M x 16)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : 10ns
Время доступа : 10ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.4V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Комплект поставки устройства : 48-TSOP I

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в