STMicroelectronics - STD110N8F6

KEY Part #: K6419558

STD110N8F6 Цены (доллары США) [118809шт сток]

  • 1 pcs$0.31132
  • 2,500 pcs$0.27713

номер части:
STD110N8F6
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STD110N8F6 electronic components. STD110N8F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD110N8F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD110N8F6 Атрибуты продукта

номер части : STD110N8F6
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Серии : STripFET™ F6
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 9130pF @ 40V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 167W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в