Vishay Siliconix - SQM40N15-38_GE3

KEY Part #: K6418287

SQM40N15-38_GE3 Цены (доллары США) [57654шт сток]

  • 1 pcs$0.67819
  • 800 pcs$0.61040

номер части:
SQM40N15-38_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 40A TO263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQM40N15-38_GE3 electronic components. SQM40N15-38_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM40N15-38_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM40N15-38_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQM40N15-38_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 40A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3390pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 166W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D2Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в