производитель :
GeneSiC Semiconductor
Описание :
DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER
Состояние детали :
Active
Конфигурация диода :
1 Pair Common Cathode
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
400V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) (за диод) :
100A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.3V @ 100A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
25µA @ 400V
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Тип монтажа :
Chassis Mount
Пакет / Дело :
Three Tower
Комплект поставки устройства :
Three Tower