ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS64WV12816EDBLL-10BLA3

KEY Part #: K938099

IS64WV12816EDBLL-10BLA3 Цены (доллары США) [19233шт сток]

  • 1 pcs$2.38239

номер части:
IS64WV12816EDBLL-10BLA3
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA. SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Часы / Синхронизация - Батареи для ИС, PMIC - Драйверы для ворот, Embedded - PLD (программируемое логическое устройс, PMIC - регуляторы напряжения - линейный, Сбор данных - АЦП / ЦАП - специального назначения, Специализированные микросхемы, Embedded - система на чипе (SoC) and Интерфейс - Специализированный ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10BLA3 electronic components. IS64WV12816EDBLL-10BLA3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS64WV12816EDBLL-10BLA3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS64WV12816EDBLL-10BLA3 Атрибуты продукта

номер части : IS64WV12816EDBLL-10BLA3
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : SRAM
Технология : SRAM - Asynchronous
Размер памяти : 2Mb (128K x 16)
Тактовая частота : -
Время цикла записи - слово, страница : 10ns
Время доступа : 10ns
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.4V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 48-TFBGA
Комплект поставки устройства : 48-TFBGA (6x8)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)